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电子电路大全(PDF格式)-第75部分

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     ASK 频率调制率                                     0                                   32                kHz  



      电源电压                         V              2。0                                  4                  V  

                                    CC 



     输出时钟频率                                                       f 0/128                                MHz  



     VCO 频率范围                                     310                                 330                MHz  



     PLL 回路带宽                                                       250                                  kHz  



                  高电平                             1。7                                                     V  

     控制信号  

                  低电平                                                                 0。25                V  



                  待机模式            Is…off                                              350                 nA  

      电流消耗  

                  发射模式             I              3。7               8。5               11。6                mA  

                                    s 



     工作温度                          TA             …40                                  85                 ℃  



  



      1。12。3    芯片封装与引脚功能  



      T5753 采用 TSSOP8L 封装,封装形式如图 1。12。1 所示。各引脚功能如下。  



                                                                                   



                                             图 1。12。1    T5753 的封装形式  



      引脚 1:CLK ;  时钟信号输出,为微控制器提供时钟信号,输出频率为f XTAL/4 。  

      引脚 2 :PA_ENABLE ,功率放大器导通开关(功率放大器使能控制),用于ASK 调制。  



  


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                      第1 章    射频发射器芯片原理与应用电路设计                          ·81 · 



    引脚 3 :ANT2 ,天线输出级的发射极。  

    引脚 4 :ANT1 ,天线输出级的集电极(OC )。  

    引脚 5:XTAL ,外接晶振。  

    引脚 6 :VS ,电源电压。  

    引脚 7 :GND,地。  

    引脚 8:ENABLE ,使能控制输入。  



    1。12。4    内部结构与工作原理  



    T5753 内部结构框图如图 1。12。2 所示。芯片内包含射频功率放大器(PA )、晶体振荡器 

 ( 

  XTO )、压控振荡器(VCO )、相频检波器(PFD )、分频器(f /4 、f /64 )、充电泵(CP )、电 

源控制电路(Power  up/down )等电路。锁相环(PLL )合成器由压控振荡器(VCO )、分频 

器、相频检波器、充电泵和回路滤波器(LF )组成。  



                                                               



                           图 1。12。2    T5753 内部结构框图  



    压控振荡器(VCO )被锁定在32 ×f XTAL ,频率为 315MHz 的发射器需要一个9。8438MHz 

的晶体振荡器,频率为 915MHz 的发射器需要一个 14。2969MHz 的晶体振荡器。锁相环(PLL ) 

和压控振荡器(VCO )所有外围元件都是集成的。  

    XTO 是一个串联谐振的振荡器,外部元件只需要一个电容和一个晶振串联到地即可。  

    在锁相环被锁定和时钟输出稳定之前,晶体振荡器和锁相环需要小于 3ms 的稳定时间。 

而在 CLK  提供给微控制器时钟信号并且射频功率放大器(PA )被接通之前,必须有一段不 

小于 1ms 的等待时间。  

    射频功率放大器是集电极开路的输出,传送的是电流脉冲,而这个电流几乎完全取决于 

负载阻抗。因此发射输出功率是由负载阻抗来控制的。这种输出匹配方式使得发射器能简单 



  


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 ·82 ·                      射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



地匹配到任何天线或 50Ohm的负载。当用 3V                电源供电时,在 315MHz        的最佳的负载阻抗即        

Z= (255+j192 )Ohm时,功率放大器可得到高的电源效率。  

    当 ENABLE 端和 PA…ENABLE 端都为低电平时,电路处于待机状态,此时只消耗很小的 

电流(350 nA ),因此一个锂电池就能提供好几年的电源。当ENABLE 端变为高电平,XTO 、 

PLL 和 CLK 导通。如果 PA…ENABLE 端维持在低电平,PLL 和 XTO 工作,CLK 输出时钟信 

号,VCO 锁定在 32 倍的 XTO 频率上。  

    当 ENABLE 端和 PA…ENABLE 端变为高电平,PLL 、XTO 、CLK 和功率放大器导通工 

作。通过控制 PA…ENABLE 端,功率放大器能接通和关断,这可用来进行 ASK 调制。  

    ASK 发射:当 ENABLE 端为高电平时,T5753 被激活,PA…ENABLE 端必须维持不小于 

4ms 的低电平,之后CLK 端能给微控制器提供时钟,输出功率就能通过 PA…ENABLE 端来调 

制。当发射完后 PA…ENABLE 端被切换到低电平,T5753 被转换回待机状态,ENABLE 端变 

为低电平。  

    FSK 发射:当 ENABLE 为高电平时,T5753 被激活,PA…ENABLE 维持低电平不小于 4ms 

之后,CLK 时钟信号能给微控制器提供时钟,功率放大器导通且PA…ENABLE 变为低电平, 

芯片进入 FSK 调制状态,利用微控制器控制在 XTAL 端的负载电容和接地电容的通断,能改 

变锁相环的基准频率。开关闭合时的输出频率低于开关断开时的输出频率。发射完成后, 

PA…ENABLE 端切换到低电平,T5753 被转换回待机状态,ENABLE 端为低电平。如图 1。12。3 

所示,使用 C =8。2pF ±2% 、C =10pF ±5%,开关两端的 C             =3pF ±10%,在晶振两边的分 

           4             5                       switch 



布电容为 C         =C     =1pF ±10%,晶振的并联电容为 C =3。2pF ±10%,晶振的容抗 

           STRAY1 STRAY2                             0 



CM=13pF ±10%。FSK 频偏的典型值为±21。5kHz ,最大频偏为±16。8kHz~±28。0kHz 。  



                                                                



                             图 1。12。3    FSK 调制示意图  



    功率匹配和功率调节:输出功率是由天线的负载阻抗决定的。当负载阻抗在 315MHz 时 

为 Z=  (255+j192 )Ohm,则得到最大功率输出。对于 VS  必须有个低阻抗的通道来提供直流电 

流。  

    功率放大器上的 0。53pF 的输出电容是由输出阻抗来补偿,功率放大器的传输电流脉冲为 

7。7mA,要得到最大的输出功率,则最佳的负载电阻应为 ZLOAD=                      (255+j192 )Ohm。这个负载 

阻抗为 T5753 的ANT1 、ANT2 端的匹配网络的阻抗。保持 192Ohm并联电阻的虚部不变,降低 

其实部阻值;就能降低输出功率。  

    功率的测量可以由图 1。12。4 所示的电路来完成。注意,元件的值必须变化以补偿不同的 

印制板的寄生值,直到 T5753  能得到合适的负载电阻值:ZLOAD=                    (255+j192 )Ohm。同时用来 

测量输出功率的电缆线的阻抗也必须校准。  



  


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                                    第1 章    射频发射器芯片原理与应用电路设计                                                          ·83 · 



                                                                                                      



                                               图 1。12。4    输出功率的测量  



      1。12。5    应用电路设计  



      T5753 应用电路如图 1。12。5 和图 1。12。6 所示。电源供应部分可用推荐的 1~68nF/XTR 的 

滤波电容 C ,C  和 C  用来使环形天线与功率放大器匹配,其中 C                                                         的典型值为 22pF/NPO 。 

                3     1       2                                                            1 



C   的典型值为 10。8pF/NPO  (对C  来说,两个电容串联可以达到一个更好的容限值,并且有 

  2                                           2 



可能用标称的电容实现 ZLOAD )。  



                                                                                                               



                                             图 1。12。5    T5753 ASK 应用电路  



  


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 ·84 ·                                      射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



                                                                                                                 



                                           图 1。12。6    T5753 FSK 应用电路  



      C  和 T5753 的管脚以及PCB 板上的导线组成一个串联环,抑制了一次谐波,因此 C  在 

        1                                                                                                             1 



PCB 板中的位置是相当重要的。一般来说,要达到最好的抑制效果,C  离 ANT1 ,ANT2 脚 

                                                                                               1 



的位置应尽量近。环形天线的宽度不应超过 1。5mm,否则环型天线的 Q 点就会很高。L 1                                                                         (约 

为 50nH 到 100nH)可以印制在PCB 板上,C  值的选择应保证 XTO 在晶振的负载谐振频率 

                                                             4 



下正常运行。通常,一个有 15pF 负载电容的晶振需一个 12pF 的电容(C  )。  

                                                                                                 4 



        



  


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                第 2 章    射频接收器芯片原理  



                                   与应用电路设计  



 2。1    315MHz ASK/FSK 接收器芯片TDA5211 的原理 

                                     与应用电路设计  



     2。1。1    概述  



     TDA5211 是低功耗的单片 FSK/ASK 超外差无线电接收器(SHR )芯片,其工作频段为 

310MHz~350MHz,接收灵敏度为 110dBm。电源电压为 5V,电流消耗低(FSK  模式时为 

5。7mA,ASK 模式时为 5mA ),低功耗模式时电流消耗为 50nA 。能接收数字 FSK/ASK 信号。 

适用于无钥匙进入系统、安防系统、遥控系统、低比特率通信系统等应用。  



     2。1。2    主要性能指标  



     TDA5211 的主要性能指标如表2。1。1 所示。  



                                  表2。1。1    TDA5211 的主要性能指标  



                参        数               最    小    值      典    型    值     最    大    值     单        位  



                工作频率                        310              315             350            MHz  



                    FSK 模式                   3。9                             7。5            mA  

    电源电流  

                    ASK 模式                   3。2                             6。8            mA  



                    ASK                                     …110                            dBm  



                    FSK ,频偏±50kHz                           …102                            dBm  

   接收输入电平  

                    LNA 输入频率                310                              350            MHz  



                    混频器输入频率                 310                              350            MHz  



                    ASK 模式                   5                               23             MHz  

    3dB 中频频率  

                    FSK 模式                  10。4                             11             MHz  



                    低功耗模式导通  

                                             0                               0。8             V  

                    PWDNON  

   低功耗模式控制  

                    低功耗模式关断  

                                             2                               V               V  

                                                                              S 

                    PWDNOFF  



                    增益控制电压  

                                             2。8                             V               V  

                                                                              S 

                     (LNA 高增益状态) 


…………………………………………………………Page 757……………………………………………………………

 ·86 ·                                      射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



                                                                                                                续表  



                   参        数                    最    小    值        典    型    值        最    大    值         单        位  



                        增益控制电压  

                                                      0                                    0。7                V  

                         (LNA 低增益状态) 



                        混频器增益                                           +19                                   dB  



                        工作频率                          5                                    11                MHz  



                        输入阻抗                                        …850 +j 625  

                                                                                                              Ohm  

                        @ ~5MHz                                            



                        输入阻抗                                        …700 +j 865  

                                                                                                              Ohm  

    晶体振荡器               @ ~10MHz                                           



                        输入电容  

                                                                        9。7                                   pF  

                        @ ~5MHz  



                        输入电容  

                                                                        7。2                                   pF  

                        @ ~10MHz  



    ASK/FSK 信号开         ASK 模式                       1。4                                    4                 V  



    关(MSEL 引脚信 

                        FSK 模式                        0                                    0。2                V  

    号)电压  



                        增益                           85                 140                225              uV/kHz  

    FSK 解调  

                        中频带宽                        10。2                10。7               11                MHz  



      2。1。3    芯片封装与引脚功能  



      TDA5211 采用 P…TSSOP…28…1 封装,其封装形式如图 2。1。1 所示。TDA5211  的引脚功能 

如表 2。1。2 所示。  



                                                                                        



                                            图2。1。1    TDA5211 的封装形式  



  


…………………………………………………………Page 758……………………………………………………………

                       第2 章    射频接收器芯片原理与应用电路设计                            ·87 · 



                            表2。1。2    TDA5211 的引脚功能  



  引    脚  符    号         功        能       引    脚 符    号          功        能  



    1    CRST1  外接晶体                      15     MSEL  ASK/FSK 模式选择  



    2     VCC   5V  电源                    16     CSEL  6。XX 、13。XXMHz 石英晶体选择  



    3     LNI   低噪声放大器输入                  17      LIM   限幅器输入  



    4    TAGC   AGC 时间常数控制                18     LIMX   互补的限幅器输入  



    5    AGND   模拟地                       19      SLP   数据限幅器正输入  



    6     LNO   低噪声放大器输出                  20      SLN   数据限幅器负输入  



    7     VCC   5V 电源                     21      OPP   运算放大器同相输入  



    8     MI    混频器输入                     22      FFB   数字滤波器反馈端  



    9     MIX   互补的混频器输入                  23     THRES AGC  阀值输入  



   10    AGND   模拟地                       24     3VOUT 3V 基准电压输出  



   11    FSEL   869/433MHz 工作频率选择         25     DATA   数据输出  



   12     IFO   10。7MHz 
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